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更新日期：2024-03-18
簡要描述：
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162DD，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，徑向和軸向電阻器的分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，?徑向和軸向電阻器的?分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇
由于從模擬到數(shù)字的隔離而提高了抗噪聲能力，因此具有很高的穩(wěn)定性
與極小的芯片兼容（低功率測量）
超高速0.7毫秒（代表值）
通過靜態(tài)功率抵消測量實現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
通過對每個范圍進(jìn)行測量值積分時間設(shè)置功能，實現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
％測量：±99.99％[5mΩ-109MΩ]
測量：0.00mΩ?200.00MΩ
接觸檢查：測量前/測量后/ OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB是可選的）
打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（與Centronics兼容）
設(shè)置值傳送功能作為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備：（相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳送到另一臺AE-162D并自動設(shè)置）
測量電流/測量電壓異常檢查電路的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
校準(zhǔn)后180天[校準(zhǔn)后1年：1.5倍]的測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C）
日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
| 測量范圍 | 標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍 | 實測電流 | 測量精度* | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 慢 | 快速 | ||||
| 100毫歐 | 5mΩ-100mΩ | 100毫安 | ≤±0.02％±2a±2d | ≤±0.03％±3a±2d±[2 /（1 + n）] d | |
| 1Ω | 100.1mΩ?1Ω | 100毫安 | 在±0.02％±a±1d之內(nèi) | ≤±0.02％±a±2d±[2 /（1 + n）] d | |
| 10Ω | 1.001Ω?10Ω | 50毫安 | |||
| 100Ω | 10.01Ω-100Ω | 10毫安 | ±0.02％±1d以內(nèi) | 在±0.02％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi) | |
| 1kΩ | 100.1Ω?1kΩ | 5毫安 | |||
| 10kΩ的 | 1.001kΩ?10kΩ | 0.5毫安 | |||
| 100kΩ的 | 10.01kΩ-100kΩ | 50微安 | |||
| 1兆歐 | 100.1kΩ?1MΩ | 5微安 | 在±0.05％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi) | ||
| 10兆歐 | 1.001MΩ?10MΩ | 0.5微安 | ±0.03％±1d以內(nèi) | 在±0.2％±4d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi) | |
| 100兆歐 | 10.01MΩ?109MΩ | 0.05微安 | ±0.1％±2d以內(nèi) | ─── | |
* D =數(shù)字，n =積分時間（毫秒），％測量：α=（100 /標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值mΩ）x 0.01％，值測量：α= 0（加±1d）
*完整屏蔽狀態(tài)下的精度
| 測量時間 | 外部啟動 | 自由奔跑 | ||
|---|---|---|---|---|
| 慢 | 快速 | 慢 | 快速 | |
| 大約18毫秒-400毫秒 | 大約0.7毫秒-400毫秒 | 約30次/秒? 約2次/秒 | 約60次/秒? 約2次/秒 | |
| 測量端子開路電壓 | 15V以下 |
|---|---|
| 測量結(jié)束信號（EOC）脈沖寬度 | 1到250毫秒，并且可以連續(xù)設(shè)置 |
| 測量方式 | 4端子測量/ 2端子測量可切換 |
| 判斷值設(shè)定范圍 | ％測量：±99.99％，值測量：00000-20000 |
| 周邊環(huán)境 | 溫度：0°C至+ 50°C，濕度：80％以下 |
| 需要電源 | AC85V?265V，50Hz?60Hz，約50VA |
| 外形尺寸 | 333（w）x 99（H）x 300（D）mm（不包括橡膠腳等突起） |
| 重量 | 約3.5kg |
| 選項 | ? GP-IB |
|---|---|
| ?數(shù)據(jù)傳輸線 | |
| ?短接（零歐姆標(biāo)準(zhǔn)電阻） | |
| ?轉(zhuǎn)換適配器（3P x2?5P） |
